哈尔滨工业大学2019年半导体物理研究生入学考试真题

哈尔滨工业大学，是由工业和信息化部直属的全国重点大学，位列国家首批世界一流大学建设高校A类、985工程、211工程，该校考研真题已经公布。真题可以使考生感知到真题的出题思路，明白最核心的考点是哪些，然后在不断地做题中加深该知识的认识和理解。同时，考生还可以通过真题获取试卷结构、题型设置、题量大小、分值分布的信息。跃研为各位考生整理了该校的“哈尔滨工业大学2019年半导体物理研究生入学考试真题”，以下是具体内容：

第一题名词解释，建议使用《名词解释总结》理解并背熟其中内容。

第二题一般为二到四章内容，会在杂质、费米能级、迁移率、电导率等内容中出，一般不会两年连续出同样的，第二章杂质会结合第五章的陷阱和复合进行考查。

第三题 PN结 正反偏压下能带、电流、载流子分布图，空间电荷区形成过程等相关知识，每年必考，必须熟练掌握。

第四题 C-V曲线 曲线图、各个阶段变化、各种平带电压的影响因素等相关知识，每年必考，必须熟练掌握。

第五题 考查第五章内容，靠爱因斯坦公式推导或者是连续性方程计算题，爱因斯坦公式推导比较简单，理解记忆即可，连续性方程需掌握各种情况下的解题方法


以上就是跃研整理的“哈尔滨工业大学2019年半导体物理研究生入学考试真题”。人生天地之间，若白驹之过隙，忽然而已，考研备考的时光也是如此。各位备考生们，跃研希望各位考生在看似漫长实则短暂的备考时光中，积极做好考研备考工作，为实现研究生梦想而拼搏。如果想要及时了解更多关于招研院校各个年份的考研真题，请各位考生关注公众号“跃研考研网”，更多实时资讯尽在跃研公众号。